[发明专利]一种WS2在审

专利信息
申请号: 202010565834.2 申请日: 2020-06-19
公开(公告)号: CN111676457A 公开(公告)日: 2020-09-18
发明(设计)人: 王德生;伏彦龙;王琴琴;胡明;姜栋;高晓明;杨军;翁立军;孙嘉奕 申请(专利权)人: 中国科学院兰州化学物理研究所;兰州中科凯路润滑与防护技术有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京高沃律师事务所 11569 代理人: 马云华
地址: 730000 甘*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明属于复合薄膜技术领域,具体涉及一种WS2‑Ta复合薄膜及其制备方法和应用。本发明提供了一种WS2‑Ta复合薄膜,包括WS2和Ta;所述WS2‑Ta复合薄膜中Ta的含量为2~6at.%。本发明以特定含量的Ta元素掺入WS2中,有利于抑制WS2的片状、柱状晶的产生,获得低结晶性、具有致密结构的WS2形貌,进而降低复合薄膜的摩擦系数,提高润滑性能;同时,低结晶性的复合薄膜具有的致密结构有利于抑制腐蚀性离子对基体的侵入,可显著提高复合薄膜耐腐蚀性能。实验结果表明,本发明提供的WS2‑Ta复合薄膜的摩擦系数低于0.05,润滑寿命高于3×105r;腐蚀电位高、腐蚀电流密度低。
搜索关键词: 一种 ws base sub
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