[发明专利]基板干燥腔室在审
申请号: | 202010565901.0 | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN112117212A | 公开(公告)日: | 2020-12-22 |
发明(设计)人: | 申熙镛;李泰京;尹炳文 | 申请(专利权)人: | 无尽电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人: | 杨黎峰;王丽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基板干燥腔室,包括:基板放置板;上供给口,其提供干燥用超临界流体的供给路径;集成式供给和排出口,其提供初始加压用超临界流体的供给路径以及执行干燥后的、其中干燥用超临界流体中溶解了有机溶剂的混合流体的排出路径;以及加热构件,其加热初始加压用超临界流体和混合流体。根据本发明,可以解决的问题在于:在将初始加压用超临界流体引入腔室内的过程中,由于压力降低所引起的冷却现象,使得超临界流体被液化或汽化而在基板上引起微粒污染;并且可以解决的问题在于:当完成干燥工序排出混合流体时,由于冷却作用使得混合流体相分离,从而在基板上引起微粒污染,或由于混合流体的表面张力而使形成在基板上的图案塌陷。 | ||
搜索关键词: | 干燥 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无尽电子有限公司,未经无尽电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202010565901.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造