[发明专利]一种CVD金刚石厚膜-陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法有效
申请号: | 202010566135.X | 申请日: | 2020-06-19 |
公开(公告)号: | CN111910168B | 公开(公告)日: | 2022-06-10 |
发明(设计)人: | 宋鑫;孙方宏 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/02;C23C16/56 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供了一种CVD金刚石厚膜‑陶瓷复合片钎焊刀具及其制备方法,步骤如下:S1、将氮化硅陶瓷基体表面喷砂粗化后超声波植晶,得到预处理过的氮化硅陶瓷基体;S2、采用微波化学气相沉积法沉积金刚石厚膜得到CVD金刚石厚膜‑陶瓷复合片;S3、将复合片上的CVD金刚石厚膜进行机械抛光;S4、将机械抛光后的复合片激光切割成所需形状;S5、将激光切割后的复合片,真空钎焊至硬质合金刀体上,然后通过刃磨制成CVD金刚石厚膜‑陶瓷复合片钎焊刀具。本方法有效简化CVD金刚石厚膜钎焊刀具的制备工序,降低成本,同时优化金刚石厚膜的晶粒尺度,抑制膜基界面的孔洞产生,陶瓷基底作为支撑可保证金刚石厚膜在抛光过程中不易断裂。 | ||
搜索关键词: | 一种 cvd 金刚石 陶瓷 复合 钎焊 刀具 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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