[发明专利]基于迷宫型CsPbI2

摘要

本发明公开了一种基于迷宫型CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜的制备方法及太阳能电池，所述制备方法包括以下步骤：在基底上旋涂CsPbI2Br前驱体溶液，制备得到钙钛矿薄膜；将所述钙钛矿薄膜放置在24‑27℃的手套箱中静置15‑30min；然后在158‑164℃下退火9～11min，得到迷宫型CsPbI2Br钙钛矿薄膜。本发明制备得到的迷宫型CsPbI2Br无机钙钛矿薄膜应用到钙钛矿‑硅叠层器件中可以减少入射光的反射损失，增加光的吸收；对光的响应范围为350nm～650nm之间，能够很好地弥补硅电池对于这一部分光吸收不足的缺点；能够很好地解决目前普遍应用于叠层器件的有机‑无机杂化材料的热不稳定性问题，降低了对于应用环境的条件要求。