[发明专利]晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法有效
| 申请号： | 202010567125.8 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111900118B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 具德滋;周娜;李琳;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 郎志涛 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆转移机构、半导体制造设备以及晶圆转移方法，该晶圆转移机构包括聚焦环和举升组件，聚焦环设置在半导体制造设备上，并且聚焦环套装在半导体制造设备的静电卡盘的外侧且靠近静电卡盘的顶部设置，聚焦环的内侧和静电卡盘的顶面合围形成用于放置晶圆的收容空间，举升组件设置在聚焦环上，举升组件用于与晶圆配合，以使晶圆进入或离开收容空间。通过将举升组件设置在聚焦环上，从而实现了静电卡盘的无孔结构，进而保证了静电卡盘温度的均一性，进而提高了晶圆的良品率。 | ||
| 搜索关键词： | 转移 机构 半导体 制造 设备 以及 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司，未经中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010567125.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用于吸附回收[Au(S
- 下一篇：一种网袋分切融焊一体机
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
