[发明专利]半导体衬底的刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010567655.2 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111725063A | 公开（公告）日： | 2020-09-29 |
| 发明（设计）人： | 张君 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/308 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例提供了一种半导体衬底的刻蚀方法，其包括：通过调节指定工艺参数来对覆盖在半导体衬底上的掩膜图形进行刻蚀，以使掩膜图形的横向收缩速率大于半导体衬底的横向收缩速率；对覆盖有刻蚀后的掩膜图形的半导体衬底进行刻蚀，以获得期望形貌的衬底图形。本发明实施例提供的半导体衬底的刻蚀方法，其可以避免衬底图形的截面形貌的顶部出现平台，即可以获得期望形貌的衬底图形，从而可以增大半导体衬底的工艺窗口，满足工艺要求。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 衬底 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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