[发明专利]一种多晶硅表面粗糙度的处理方法在审
| 申请号： | 202010568524.6 | 申请日： | 2020-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN111681991A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 葛洪磊;梁永杰;刘如征;陈宝忠;刘存生;刘依思 | 申请（专利权）人： | 西安微电子技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/8222 | 分类号： | H01L21/8222;H01L27/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 朱海临 |
| 地址： | 710065 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅表面粗糙度的处理方法，属于半导体集成电路领域，在进行多晶前层氧化工艺前，对待氧化的硅片进行酸液预处理和对氧化设备进行氧化预处理，多晶前层氧化后，间隔一定时间进行多晶淀积工艺，所述间隔时间小于2h。本发明方法通过优化清洗工艺流程，控制氧化工艺细节，解决了该类多晶硅表面的多晶粗糙问题，显著改善了多晶硅的表面质量，提高产品的可靠性及稳定性，同时可用于解决其它类型的多晶粗糙问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 表面 粗糙 处理 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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