[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202010572172.1 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112151614A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 嘉屋旨哲;永久克己;下村彰宏;柳川洋;森和久 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉;董典红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及半导体器件。为了减小导通电阻同时抑制具有超级结结构的垂直MOSFET的特性变化的增加，垂直MOSFET包括具有n型漂移区的半导体衬底、在n型漂移区的表面上形成的p型基极区、以预定间隔布置在p型基极区下部的n型漂移区中的多个p型列区、底表面到达比p型基极区更深的位置并且布置在相邻p型列区之间的多个沟槽、在多个沟槽中形成的多个栅极电极、和在栅极电极的侧面上的p型基极区中形成的n型源极区。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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