[发明专利]多熔丝记忆体单元电路在审
| 申请号： | 202010573302.3 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN112151098A | 公开（公告）日： | 2020-12-29 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;黄家恩;周绍禹;王奕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种多熔丝记忆体单元，包括：第一熔丝元件，电耦合至第一晶体管，此第一晶体管的栅极电耦合至第一选择信号；第二熔丝元件，电耦合至第二晶体管，此第二晶体管的栅极电耦合至第二选择信号，此第一晶体管和此第二晶体管均接地；以及编程晶体管，耦合至第一熔丝元件和第二熔丝元件，其中此编程晶体管的栅极电耦合至编程信号。 | ||
| 搜索关键词： | 多熔丝 记忆体 单元 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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