[发明专利]双色宽谱段探测器、双色宽谱段探测器阵列及制作方法

摘要

本申请实施例提供了一种双色宽谱段短波红外探测器及其制作方法、双色宽谱段短波红外探测器阵列及其制作方法，该双色宽谱段短波红外探测器利用lnP衬底、lnP下接触层、第一吸收层、N型公共接触层以及第一P电极和N电极形成n‑i‑p型InGaAs探测器，利用P型掺杂区、扩展控制层、第二吸收层、缓冲层、N型公共接触层以及第二P电极和N电极形成p‑i‑n型多量子阱结构探测器，将两种探测器相结合，以实现波长0.9μm～2.6μm谱段的短波红外探测，且该双色宽谱段短波红外探测器中各组成结构均采用InP基III‑V族晶格匹配材料体系设计，从而使得双色宽谱段短波红外探测器的响应谱段较宽，灵敏度较高，可制造性较好。