[发明专利]一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法在审
| 申请号： | 202010573693.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111663185A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨化兴软控科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B35/00;C01B21/072 |
| 代理公司： | 哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙) 23209 | 代理人： | 李晓敏 |
| 地址： | 150000 黑龙江省哈尔*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备PVT法氮化铝单晶生长用粉料的装置及方法，属于晶体生长领域。通过使用简单的装置来制备晶体生长用的原料，达到纯化的目的。包括压力组合、炉壳、坩埚顶盖、陶瓷盖、陶瓷坩埚、电机、支撑杆、托盘、外坩埚、垫圈和钨加热器，炉壳的下部设置有电机，电机的输出端与位于炉壳内部的支撑杆连接，支撑杆的上端与托盘固定连接，托盘的上部设置有外坩埚，外坩埚的内部设置有陶瓷坩埚，陶瓷坩埚的上部设置有陶瓷盖，坩埚顶盖设置在外坩埚的上侧，垫圈位于外坩埚和坩埚顶盖之间，垫圈设置在陶瓷盖外侧，压力组合设置在坩埚顶盖上侧，压力组合与炉壳建立连接，炉壳内部设置有钨加热器，钨加热器位于外坩埚的外侧。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 pvt 氮化 铝单晶 生长 用粉料 装置 方法 | ||
【主权项】：
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