[发明专利]一种高纯度结晶方法及结晶装置有效
申请号: | 202010573810.1 | 申请日: | 2020-06-22 |
公开(公告)号: | CN111617512B | 公开(公告)日: | 2022-02-25 |
发明(设计)人: | 秦占岐 | 申请(专利权)人: | 河北鑫楠化工有限公司 |
主分类号: | B01D9/02 | 分类号: | B01D9/02 |
代理公司: | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人: | 李瑞妍 |
地址: | 054300 河北省*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本发明公开了一种高纯度结晶方法及结晶装置,属于结晶技术领域。将饱和溶液槽中溶解有某种溶质的饱和溶液降温形成过饱和溶液,将结晶附着机构伸入过饱和溶液中,结晶,晶体析出并沿结晶附着机构爬至液面以上,用刮离机构刮离液面以上附着于结晶附着机构上的晶体,此部分晶体即为所得晶体。装置包括由饱和溶液槽上端开口处伸入其内的结晶附着机构,及刮离机构。本发明方法及装置大大提高了所得晶体纯度,所得晶体纯度至少可达99.99%。 | ||
搜索关键词: | 一种 纯度 结晶 方法 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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