[发明专利]限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法有效
| 申请号： | 202010574282.1 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111682403B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 程洋;王俊;谭少阳;廖新胜;潘华东;李泉灵 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/22 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张乐乐 |
| 地址： | 215163 江苏省苏州市高新区昆仑山路189号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种限制层结构及其制作方法、半导体激光器及其制作方法，限制层结构包括间隔分布的若干介质掩膜块以及在所述若干介质掩膜块之间间隙生成的限制层，其中，所述限制层采用砷化镓层替换现有的砷化铝镓层，从而形成一种介质掩膜块和砷化镓限制层混合的限制层。由于砷化镓的折射率大于砷化铝镓，而介质掩膜块的折射率小于砷化铝镓，形成的混合限制层的折射率可以与现有的砷化铝镓(Al组分40‑90％)相当，能够保证其光学限制效果。形成的混合限制层的导电性优于砷化铝镓(Al组分40‑90％)的导电性。混合限制层导电性提高、氧杂质含量减少，最终将降低半导体激光器的阈值电流、提高其斜率效率和COMD阈值，提升半导体激光器性能。 | ||
| 搜索关键词： | 限制 结构 及其 制作方法 半导体激光器 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司，未经苏州长光华芯光电技术股份有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010574282.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
