[发明专利]一种直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法及其应用在审
| 申请号： | 202010574810.3 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111804317A | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 张璋;刘元武;李婧;张颖;汪敏捷;黄文添 | 申请（专利权）人： | 肇庆市华师大光电产业研究院 |
| 主分类号： | B01J27/185 | 分类号： | B01J27/185;B01J35/00;B01J37/10;B01J37/28;C25B11/06 |
| 代理公司： | 广州正明知识产权代理事务所(普通合伙) 44572 | 代理人： | 张丽 |
| 地址： | 526000 广东省肇庆市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明属于纳米材料制备技术领域，公开了一种直接在导电基底上生长高密度磷化钴纳米线电催化剂的方法：S1、水热法在导电基底表面生长磷化钴纳米线前驱体；S2、S1得到的磷化钴纳米线前驱体经磷化反应得到磷化钴纳米线电催化剂；其中，步骤S1水热法的原料为六水合硝酸钴，尿素和氟化铵，摩尔比为5：20：6。本发明通过水热法和磷化法在导电基底上生长磷化钴纳米线，并用作电催化剂。这种方法极大提升了磷化钴和导电基底的粘附力，有利于电子在基底和电催化剂之间的传输。与此同时，高密度的磷化钴纳米线可以暴露更多的催化活性位点，可以进一步提升其电催化性能。另外，该方法所需温度较低，且制备工艺简单，便于大规模推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 导电 基底 生长 高密度 磷化 纳米 催化剂 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
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