[发明专利]碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法有效
| 申请号： | 202010575275.3 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN113897684B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 蔡凯;郭少聪;王军;周维 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B29/36;C23C14/18;C23C14/58;C30B23/00;C30B28/12 |
| 代理公司： | 北京知帆远景知识产权代理有限公司 11890 | 代理人： | 吴文婧 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了碳化硅籽晶、碳化硅籽晶组件及其制备方法和制备碳化硅晶体的方法，制备碳化硅籽晶的方法包括：在碳化硅籽晶本体的背面形成硅层；在所述硅层远离所述碳化硅籽晶的表面形成预制碳层，所述预制碳层覆盖所述硅层远离所述碳化硅籽晶本体的表面；使所述预制碳层与所述硅层反应生成碳化硅过渡层和碳层，得到碳化硅籽晶。该方法步骤简单，操作方便，对设备和技术人员没有苛刻要求，且得到的碳化硅籽晶可以有效缓解界面处的应力差异，使得界面处的结合更为牢固，同时显著改善了因为润湿性和热膨胀率差异导致的碳层脱落问题，进而可以有效提高采用该碳化硅籽晶生长的碳化硅晶体的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 籽晶 组件 及其 制备 方法 晶体 | ||
【主权项】：
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