[发明专利]一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器在审
| 申请号： | 202010575408.7 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111929753A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张易晨;夏军 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G02B5/00 | 分类号： | G02B5/00;G02F1/1335;G02B1/00 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 杜静静 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种兼容CMOS工艺的宽波段超材料吸收器，所述该超材料吸收器的主要结构包括：所述结构包括依次设置的下基板、绝缘介质。下基板包括具有可见光波段与1550nm光通信波段超吸收功能的MIM结构。本发明可以实现兼容CMOS工艺的宽波段超表面吸收结构，在可见光和光通信波段实现宽范围的高吸收率功能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 兼容 cmos 工艺 波段 材料 吸收 | ||
【主权项】：
暂无信息
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