[发明专利]MOSFET管耐受能力测试方法有效
| 申请号： | 202010575524.9 | 申请日： | 2020-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN111693841B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘立锋;杨留锁;张文贵;赵端 | 申请（专利权）人： | 沃尔特电子（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李艾 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET管耐受能力测试方法。本发明一种MOSFET管dV/dt耐受能力测试方法，包括：该测试使用一个双器件MOSFET半桥进行，仅控制下桥的MOSFET栅极；上桥器件为被测器件，将经历二极管恢复dV/dt故障；所述上桥器件的栅极与其源相连接，因此在任何时候都只起二极管的作用；在给定的预设电流值、电压和设备温度下，产生单个反向恢复事件。本发明的有益效果：依据此技术可方便评估MOSFET的性能，指导产品在研发阶段的器件选型工作，避免产品在批量生产过程中出现质量问题，造成不可挽回的经济损失。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet 耐受 能力 测试 方法 | ||
【主权项】：
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