[发明专利]去耦合电容器封装结构与其制作方法在审
| 申请号： | 202010577861.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112309962A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 郭丰维;廖文翔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露针对一种用于形成具有可缩放的电容的金属绝缘体金属去耦合电容器的方法。此方法可以包括在一部分的聚合物层上形成具有金属线的第一重分布层，在第一重分布层上沉积光阻层，以及蚀刻光阻层以在光阻层中形成间隔开的第一中介层通孔开口和第二中介层通孔开口，其中第一中介层通孔开口比第二中介层通孔开口宽。此方法可以进一步包括在第一中介层通孔开口和第二中介层通孔开口中沉积金属以分别地形成与金属线接触的第一中介层通孔结构和第二中介层通孔结构，去除光阻层，在第一中介层通孔结构和第二中介层通孔结构的顶表面上形成高介电常数介电质，并在高介电常数介电层上沉积金属层以分别地形成第一电容器和第二电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 耦合 电容器 封装 结构 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
