[发明专利]一种TDICMOS探测器的非均匀校正方法有效
| 申请号： | 202010578155.9 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111741243B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 余达;刘金国;周怀得;姜肖楠;杨亮;黄斌;李嘉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N17/00 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 朱红玲 |
| 地址： | 130033 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 一种TDICMOS探测器的非均匀校正方法，涉及TDICMOS探测器成像技术领域，解决现有探测器响应的非均匀校正方法存在受暗电流影响，进而出现暗场的偏差的问题，校正系统包括TDICMOS探测器、成像控制器、积分球以及图像数据采集及处理器；探测器和成像控制器放置在温度控制器内，实现恒定的温度控制。成像控制器产生探测器工作所需的控制和驱动信号，探测器返回相关的状态信号。探测器输出的串行图像数据经成像控制器调理后，以并行图像数据的方式送入图像数据采集及处理器进行处理，实现成像参数和校正参数的计算。本发明对各像素的积分级数、像素增益和PGA增益进行标定，可以实现相对准确的亮场增益校正系数。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 tdicmos 探测器 均匀 校正 方法 | ||
【主权项】：
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