[发明专利]陶瓷芯片制造方法在审
| 申请号： | 202010578709.5 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112736034A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 李星玧;金淳珉;河宗佑 | 申请（专利权）人： | 罗茨股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L33/50 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国仁*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明一方面的陶瓷芯片制造方法，包括：(A)在陶瓷原板形成多个切割沟槽；(B)将形成有切割沟槽的表面去除预定厚度，进而去除在形成所述切割沟槽时形成在所述切割沟槽外侧的粗糙面；(C)为使原板个别分成多个陶瓷芯片，将形成有所述切割沟槽的面的反面去除预定厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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