[发明专利]一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法在审
| 申请号： | 202010578849.2 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111797033A | 公开（公告）日： | 2020-10-20 |
| 发明（设计）人： | 刘凯;王璞;吴斌 | 申请（专利权）人： | 山东华芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G06F12/02 | 分类号： | G06F12/02 |
| 代理公司： | 济南泉城专利商标事务所 37218 | 代理人： | 赵玉凤 |
| 地址： | 250101 山东省济南市高新*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种SSD中处理NAND Flash读干扰的方法，本方法在SSD自带的DDR中开辟一部分空间，用来保存每个块的读次数，当SSD在读取NAND Flash的某个页的同时把对应的DDR地址中的值加1，在当前页读取操作结束时以一定概率检查当前块的读次数，如果读次数达到设定阈值时，将读取到的数据从Read Buffer拷贝到Write Buffer，并修改映射表，最终将数据写到NAND Flash的新地址，如果读次数达到需要处理的最大值，则将该块中剩余的有效数据全部搬走。本方法对数据搬移操作做平滑处理，避免某一时刻集中触发整个块数据搬移，既能消除读干扰对数据的影响，也能保证SSD的整体性能不会产生大的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ssd 处理 nand flash 干扰 方法 | ||
【主权项】：
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