[发明专利]带状线谐振器结构及由谐振器结构组成的磁调谐陷波器在审

专利信息
申请号: 202010579534.X 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111613863A 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 燕志刚;王大勇;陈运茂;张平川;何志强;李俊;荣建海 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第九研究所
主分类号: H01P7/08 分类号: H01P7/08;H01P1/208
代理公司: 绵阳市博图知识产权代理事务所(普通合伙) 51235 代理人: 黎仲
地址: 621000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种带状线谐振器结构及由该谐振器结构组成的磁调谐陷波器,属于电子元器件技术领域;所述带状线谐振器结构由带状线中心导体、带状线外导体,钆镓石榴石晶体和YIG单晶薄膜组成,其中,所述带状线中心导体、YIG单晶薄膜和钆镓石榴石晶体在所述带状线外导体内依次排列;本发明实现了磁调谐陷波器的谐振器平面化,简化了带状线谐振电路结构设计;采用带状线传输模式,扩展了磁调谐陷波器的通带工作频率;在同一平面可排布多个带状线谐振电路,易于多通道陷波器的集成;谐振电路采用多个单晶薄膜块构成谐振器级联,有效抑制单晶薄膜的多个激励模式,增加陷波器阻带深度,提高陷波器性能。
搜索关键词: 带状线 谐振器 结构 组成 调谐 陷波
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