[发明专利]一种垂直沟道SRAM集成电路结构在审
| 申请号： | 202010580478.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111668220A | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 廖永波;李平;李垚森;曾祥和;胡兆晞;唐瑞枫;邹佳瑞;林凡;聂瑞宏;彭辰曦;冯珂 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L27/11 | 分类号： | H01L27/11;H01L29/10;H01L29/78 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种垂直沟道SRAM集成电路结构，涉及微电子技术和半导体技术。本发明的SRAM由6个新型MOS管构成，每个MOS管是纵向结构，设置有锗硅材料源极、沟道、轻掺杂漏极以及环形栅。本发明所要解决的关键技术问题是：利用一种新型MOS管设计SRAM基本单元。新型MOS管共栅极，用锗硅做源极，可以省去金属通孔和互联线的面积。轻掺杂漏极可以提高耐压，不再依赖特征尺寸。四面环形栅极增大对沟道的控制能力，减小阻抗。纵向结构通过外延生长，避免了多次光刻，节省了工艺流程和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 沟道 sram 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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