[发明专利]半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法有效
| 申请号： | 202010580775.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112542463B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 矢吹宗 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B43/10 | 分类号： | H10B43/10;H10B43/35;H10B43/27 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供一种可以实现大容量化的半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，在第1方向上交替地积层有多个第1绝缘层与多个栅极电极层；第1半导体层、第2半导体层及第3半导体层，设置在积层体之中且在第1方向上延伸；第1电荷蓄积层、第2电荷蓄积层及第3电荷蓄积层；以及第2绝缘层，设置在积层体之中，在第1方向上延伸，在与第1方向垂直且包含栅极电极层的面内，与第1半导体层或第1电荷蓄积层、第2半导体层或第2电荷蓄积层、及第3半导体层或第3电荷蓄积层相接；且在与第1方向平行且包含第2绝缘层的第1截面中，栅极电极层的2个端面之间的第1距离朝向第1方向单调递增，在与第1方向平行且包含第2绝缘层、与第1截面不同的第2截面中，栅极电极层的2个端面之间的第2距离朝向第1方向单调递增之后，暂时减少，进而单调递增。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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