[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 202010580958.8 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112563276B | 公开（公告）日： | 2023-08-08 |
| 发明（设计）人： | 内海哲章 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/10 | 分类号： | H10B41/10;H10B41/35;H10B41/41;H10B41/27;H10B43/10;H10B43/27;H10B43/35;H10B43/40 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 张世俊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够较佳地动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：半导体基板；存储器单元阵列，在第1方向上与半导体基板相隔；及第1、第2晶体管阵列，设置在半导体基板上。半导体基板具备在第2方向上依序排列的第1区域～第4区域、及在第2方向上依序排列的第5区域～第8区域。这些区域分别在第3方向上相邻。存储器单元阵列具备设置在第1～第4区域的多个第1导电层、及设置在第5～第8区域的多个第2导电层。第1晶体管阵列包含经由设置在第2区域的多个接点与多个第1导电层连接的多个晶体管。第2晶体管阵列包含经由设置在第7区域的多个接点与多个第2导电层连接的多个晶体管。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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