[发明专利]一种包含自对准金属硅化物的半导体器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202010581022.7 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838939B | 公开（公告）日： | 2023-08-29 |
| 发明（设计）人： | 刘宇霈;门思成 | 申请（专利权）人： | 和舰芯片制造（苏州）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06;H01L29/47 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人： | 刘小峰 |
| 地址： | 215025 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件，包含：P型衬底；形成于所述P型衬底上方的轻掺杂N阱；形成于所述轻掺杂N阱上方的自对准金属硅化物；其中，所述轻掺杂N阱邻近所述自对准金属硅化物处包含表面改性区。该半导体器件有助于提高沉积金属的均匀性，消除自对准金属硅化物形成过程中的孔洞，从根本上改善击穿电压掉点的问题。本发明同时提供一种包含自对准金属硅化物的半导体器件的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 包含 对准 金属硅 半导体器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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