[发明专利]用于IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路和其模拟测试方法有效

专利信息
申请号: 202010581613.4 申请日: 2020-06-23
公开(公告)号: CN111736054B 公开(公告)日: 2022-09-16
发明(设计)人: 蔡希鹏;胡四全;范彩云;何青连;韩坤;胡亮;任成林;胡雨龙;周竞宇;张志刚;马俊杰;张磊;胡学彬;司志磊 申请(专利权)人: 中国南方电网有限责任公司超高压输电公司;许继集团有限公司;许继电气股份有限公司
主分类号: G01R31/26 分类号: G01R31/26
代理公司: 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 代理人: 朱晓娟
地址: 510700 广东省广州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明涉及一种IGBT驱动退饱和保护功能的测试电路和其模拟测试方法,通过在IGBT一直工作在饱和区且IGBT集电极电流在安全电流的情况下,通过一个辅助电子开关把IGBT的母线电压直接接入驱动的电压采样回路,模拟IGBT在安全电流下进入退饱和工作状态,从而验证驱动能否在规定的时间内正确关断IGBT的功能。本发明避免驱动在IGBT为大电流退饱和情况下(此时IGBT端电压进入母线电压)进行保护功能的测试,避免了IGBT在退饱和情况下因为驱动保护不及时造成IGBT过热或过电压损坏的风险。可广泛应用于驱动退饱和功能的常规测试项目。
搜索关键词: 用于 igbt 驱动 饱和 保护 功能 测试 电路 模拟 方法
【主权项】:
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