[发明专利]一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202010582154.1 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111933694A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 刘建;税国华;林涛;欧红旗;冯志成;阚玲;刘青;朱坤峰;黄磊;王飞;张剑乔;张培健 | 申请（专利权）人： | 重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/423;H01L29/808;H01L21/28;H01L21/337 |
| 代理公司： | 重庆缙云专利代理事务所(特殊普通合伙) 50237 | 代理人： | 王翔 |
| 地址： | 401332 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 掺杂 平滑 jfet 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所，未经重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010582154.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
