[发明专利]具有无衬层自形成阻挡部的集成电路结构在审
| 申请号： | 202010582896.4 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN112635435A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | A·A·夏尔马;C·内勒;U·阿兰 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L29/49;H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘瑜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了具有无衬层自形成阻挡部的集成电路结构和制造具有无衬层自形成阻挡部的集成电路结构的方法。在示例中，集成电路结构包括衬底上方的电介质材料。互连结构在电介质材料中的沟槽中。互连结构包括导电填充材料和二维(2D)晶体衬层。2D晶体衬层与电介质材料以及与导电填充材料直接接触。2D晶体衬层包括与导电填充材料相同的金属物质。 | ||
| 搜索关键词： | 有无 形成 阻挡 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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