[发明专利]一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法有效
| 申请号： | 202010582950.5 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111781801B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 马乐;韦亚一;董立松;杨尚 | 申请（专利权）人： | 南京诚芯集成电路技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F1/68 |
| 代理公司： | 南京苏博知识产权代理事务所(普通合伙) 32411 | 代理人： | 陈婧 |
| 地址： | 211899 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于掩模制造和激光直写光刻的双重直写方法，根据内拐点将原始版图拆分成多个矩形后，按照第一扩展路径，将相邻的相同走向的矩形进行相反方向的扩展，将相邻的不同走向的矩形进行不同方向的扩展，完成第一次直写，然后按照第一次直写扩展规则，反向所述第一路径进行第二次直写扩展，直至所有矩形扩展完成；同时对第一次直写和第一次直写过程进行冲突判断，并对冲突区域和不合理区域进行处理和调整，对两次直写进行结果验证和规则验证，提高制得的掩模的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制造 激光 光刻 双重 方法 | ||
【主权项】：
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