[发明专利]光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202010584007.8 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113838971A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 金湘亮;汪洋 | 申请（专利权）人： | 湖南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 深圳市沈合专利代理事务所(特殊普通合伙) 44373 | 代理人： | 沈祖锋 |
| 地址： | 410000 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光电驱动雪崩二极管忆阻器件及其制作方法，衬底P‑Sub上设有NBL区，NBL区上设有第一环形DN‑Well区，第一环形DN‑Well区中设有第一环形浅槽隔离区和环形N+注入区，第二环形浅槽隔离区位于第一环形DN‑Well区与环形P‑epi区的交界处；环形P‑epi区内设有环形P‑Well区和多晶硅环栅，第二DN‑Well区中设有N‑Well区，N‑Well区中设有P+注入区；P+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阳极；N+注入区引出用作光电驱动雪崩二极管忆阻器件的阴极；如此，可以在施加周期性脉冲信号的条件下达到反偏状态，器件可以通过外界偏置条件在线性区高阻态与雪崩区低阻态之间灵活切换，从而基于标准CMOS工艺实现光电可控的忆阻器机理。 | ||
| 搜索关键词： | 光电 驱动 雪崩 二极管 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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