[发明专利]一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺有效
| 申请号： | 202010586038.7 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111634916B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 吴剑荣 | 申请（专利权）人： | 吴剑荣 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 北京棘龙知识产权代理有限公司 11740 | 代理人： | 戴丽伟 |
| 地址： | 322000 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，属于半导体技术领域，一种基于硅快速合成技术的单晶硅层高效回收工艺，本方案通过将水和双载传递动子内的二氧化碳同时做为热量载体，随着双载传递动子的上下移动，将热量传递给热源收集箱内的水，既能提高对能量的可持续利用，同时细沙内的水积累到一定的程度滴落后，被已经下沉的双载传递动子包括其表面的变色硅胶吸收，对液态水的回流进行限制，减少液态水的再次进入浓盐酸内，并随着双载传递动子在反应载板和过滤网框之间持续的上下移动，逐渐降低浓盐酸的含水量会，从而提高了硅和氯化氢合成为三氯化硅的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 快速 合成 技术 单晶硅 高效 回收 工艺 | ||
【主权项】：
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