[发明专利]一种半导体器件金锡焊接后的清洗方法在审
| 申请号： | 202010586346.X | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111748414A | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 张智聪;孙钱 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所广东（佛山）研究院 |
| 主分类号： | C11D1/04 | 分类号： | C11D1/04;C11D3/04;C11D3/08;C11D3/10;C11D3/16;C11D3/20;C11D3/22;C11D3/33;C11D3/37;C11D3/60;C11D7/02;C11D7/24;C11D7/26;C11D7/32;C11 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 李素兰;何键云 |
| 地址： | 528000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件金锡焊接后的清洗方法，包括：一、将金锡焊接后的半导体器件浸泡在清洗液中；二、将半导体器件浸泡在装有纯水的水槽内，除去半导体器件上的清洗液；三、将半导体器件浸泡在纯水溶液中，除去半导体器件上的纯水；四、采用热风来风干半导体器件，除去半导体器件上的纯水。本发明的清洗方法通过步骤(一)、(二)和(三)的相互配合，有效除去金锡焊接后的助焊剂及其他污染物质，提高半导体器件的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 焊接 清洗 方法 | ||
【主权项】：
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