[发明专利]一种刻蚀方法及系统在审
| 申请号： | 202010587144.7 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111710603A | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;董莹莹;王笑宽;周娜;项金娟;李俊杰;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/28;H01L29/51;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 柳虹 |
| 地址： | 100029 北京市朝阳*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请实施例提供了一种刻蚀方法及系统，提供氧化钇膜层后，可以进行多次反应去除工艺，以刻蚀氧化钇膜层，反应去除工艺可以包括，利用氯化氢气体与氧化钇膜层表面反应产生反应物，利用乙醇清洗生成的反应物，这种反应去除工艺能对氧化钇膜层进行去除，且对其他膜层具有较高的刻蚀选择比，不会对其他膜层造成损伤，具有刻蚀自限制性，从而能够顺利实现对氧化钇膜层的刻蚀，对于氧化钇在半导体器件的制造工艺中的广泛使用创造了条件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 系统 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
