[发明专利]一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202010587434.1 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111635222B | 公开（公告）日： | 2022-05-20 |
| 发明（设计）人： | 丁士华;朱惠;张云;李超;宋天秀 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | C04B35/195 | 分类号： | C04B35/195;C04B35/622;C04B35/634;C04B35/638 |
| 代理公司： | 北京正华智诚专利代理事务所(普通合伙) 11870 | 代理人： | 何凡 |
| 地址： | 610039 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于单斜相的低介微波介质陶瓷材料及其制备方法，制备方法包括：配料、一次球磨、预烧合成、二次球磨、造粒、成型、排胶和烧结。本发明制备过程中所用原料来源广泛，制备过程简单，无需高压，长时间保温，也无需额外添加形核剂等添加剂，可适用于工业化生产。通过本发明制备方法制得的微波介质陶瓷材料为单一的单斜相，且介电性能良好，可作为各种元器件关键材料的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 单斜 微波 介质 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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