[发明专利]一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法在审
| 申请号： | 202010587700.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111653489A | 公开（公告）日： | 2020-09-11 |
| 发明（设计）人： | 冯光建 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367;H01L23/473 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法，具体包括如下步骤：101)转接板制作步骤、102)底板制作步骤、103)键合步骤、104)芯片安置步骤；本发明通过在芯片底部设置导热金属或者导热管道，使热量能够快速的导到散热底座中，然后通过在散热底座中设置多层微流道液相散热通道，散热通道中冷却液采用不同的流动方向运动，以此来平衡不同层别以及不同芯片一侧的微流道中液体的温度，使微流道在芯片底部的散热能力趋于一致的一种基于多层散热结构的三维射频模组制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多层 散热 结构 三维 射频 模组 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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