[发明专利]基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法

摘要

一种基于立方氮化硼厚膜的MSM型深紫外光电探测器及制备方法，包括：衬底；氮化硼缓冲层，位于所述衬底之上；立方氮化硼厚膜，位于所述氮化硼缓冲层之上；一对电极，分别叠置于所述立方氮化硼厚膜之上。本发明利用立方氮化硼超宽禁带的电子学特性和极端环境下的稳定性等显著的材料性能优势，将其作为光吸收层，能够直接获得器件在深紫外区的光电响应，暗电流低、灵敏度高、响应速度快；本发明的MSM型深紫外光电探测器可应用于高温高压、高能量辐射和腐蚀性的极端环境中，在航空航天，信息通讯领域有很高的实用价值；本发明可直接制作在硅基衬底上，可与现有硅基工艺兼容，有利于器件集成，工艺简单，易于大规模产业化。