[发明专利]一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法在审
| 申请号： | 202010589580.8 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111675192A | 公开（公告）日： | 2020-09-18 |
| 发明（设计）人： | 郭西 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;H01L21/768 |
| 代理公司： | 杭州天昊专利代理事务所(特殊普通合伙) 33283 | 代理人： | 董世博 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种微系统模组的深硅空腔刻蚀方法，具体包括如下步骤：101)初步刻蚀步骤、102)初步定形步骤、103)刻蚀终止层步骤；本发明提供了一种可以解决结构精度问题与结构缺陷问题的高效制作微系统模组的深硅空腔刻蚀方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 系统 模组 空腔 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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