[发明专利]一种氧化钛纳米管阵列基光电化学检测电极的制备方法有效

专利信息
申请号: 202010589940.4 申请日: 2020-06-24
公开(公告)号: CN111595914B 公开(公告)日: 2022-06-07
发明(设计)人: 赵建玲;吴志刚;王西新;刘东鑫;朱淼 申请(专利权)人: 河北工业大学
主分类号: G01N27/30 分类号: G01N27/30;C25D11/26;C23C18/12;C23C18/44;B82Y40/00;B82Y15/00
代理公司: 天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙) 12210 代理人: 赵凤英
地址: 300130 天津市红桥区*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 发明为一种氧化钛纳米管阵列基光电化学检测电极的制备方法。该方法先用Ag修饰TNTA制备Ag‑TNTA,然后通过化学共沉积和水热还原将金属银和铜沉积到Ag‑TNTA中制得电极。本发明所制备的光电化学检测电极既可以用于对高锰酸根的检测,又可以用于对多巴胺的检测,测试过程简单、快速、无污染。
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 阵列 光电 化学 检测 电极 制备 方法
【主权项】:
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