[发明专利]一种介电陶瓷表面金属化的方法及采用该方法制备的介电陶瓷元件有效
| 申请号： | 202010590546.2 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113831154B | 公开（公告）日： | 2022-11-29 |
| 发明（设计）人： | 黄远提;施少雄;李卫明;郭志伟;杨应喜;袁明军 | 申请（专利权）人： | 光华科学技术研究院（广东）有限公司;广东东硕科技有限公司 |
| 主分类号： | H01P1/20 | 分类号： | H01P1/20 |
| 代理公司： | 北京卓恒知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11394 | 代理人： | 徐楼;卜婷 |
| 地址： | 511440 广东省广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种介电陶瓷表面金属化的方法及采用该方法制备的介电陶瓷元件。该方法不受陶瓷构件的形状限制，能得到镀层均匀并且与基底结合力良好的陶瓷构件，并且陶瓷构件的插损低，满足高频通讯信号的技术要求，并且解决了现有技术中使用在陶瓷表面沉积厚银工艺所带来的成本问题。同时采用本方法制备获得的介电陶瓷元件的基底与金属层的结合力强，Q值高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 表面 金属化 方法 采用 制备 元件 | ||
【主权项】：
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