[发明专利]一种立式气相反应炉有效
| 申请号： | 202010591259.3 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111710631B | 公开（公告）日： | 2023-09-08 |
| 发明（设计）人： | 杨帅;杨慧萍 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人： | 马骥 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供一种立式气相反应炉，其特征在于，包括外壳、第一供气结构和第二供气结构，所述外壳的底壁与侧壁围合而成反应空间，所述反应空间内存在亏气区，所述第二供气结构设置于所述外壳上且与所述反应空间相互连通，所述第二供气结构用于向所述亏气区提供反应气体。本申请实施例通过在具备第一供气结构的立式气相反应炉的外壳上设置第二供气结构组，不需要整体更换立式气相反应炉，成本较低，可以由第二供气结构进入的反应气体提升亏气区内的气体浓度，实现提高亏气区内材料反应程度的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 立式 相反 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
