[发明专利]基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法有效
| 申请号： | 202010591640.X | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN111519242B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 顾跃;毛世平;丁雨憧 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号： | C30B15/06 | 分类号： | C30B15/06;C30B29/28 |
| 代理公司： | 重庆博凯知识产权代理有限公司 50212 | 代理人： | 胡逸然 |
| 地址： | 400060 *** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于横向平移结晶法制备大尺寸Ce,Nd：YAG晶体的方法，其具体的工艺过程包括配料、装炉、抽真空及充气、升温、引晶、晶体放肩生长、晶体等宽生长、降温及原位退火、取出晶体等9个过程。本发明利用横向平移结晶法，同时具有定向结晶法和垂直区熔法的优点，制备Ce,Nd:YAG晶体具有成本低、生长周期短、晶体质量高、产品均一性好、无核心侧心、产品利用率高等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 横向 平移 结晶 法制 尺寸 ce nd yag 晶体 方法 | ||
【主权项】：
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