[发明专利]一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法在审
| 申请号： | 202010591737.0 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113830757A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 陈浩;王山林 | 申请（专利权）人： | 四川烯时代新材料有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/192 | 分类号： | C01B32/192;C01B32/23 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 621000 四川省绵*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低氧化石墨经插层后热剥离制备低缺陷石墨烯的方法，涉及新型碳纳米材料、功能复合材料和新型储能材料的制备及应用技术领域，本发明包括如下步骤：S1:在常温条件下，向盛有浓硫酸的反应器中按照鳞片石墨:浓硫酸=1 Kg:50 L的比例加入鳞片石墨，搅拌反应2～8h，然后按照鳞片石墨与高锰酸钾的质量比为1:1的比例缓慢加入高锰酸钾粉末，搅拌反应2～5h获得低氧化石墨混酸液；S2:直接向S1的低氧化石墨混酸液中按照鳞片石墨:H2O2=1 Kg:10～100L的比例加入H2O2溶液，充分搅拌反应0.5～5h。综上所述，本方法制备的石墨烯结构完整、质量好、导电性好、用途广，可广泛应用于导电添加剂、功能化改性复合材料、传感器和储能材料等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 石墨 经插层后热 剥离 制备 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
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