[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及电子装置在审
| 申请号： | 202010591838.8 | 申请日： | 2020-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN113838938A | 公开（公告）日： | 2021-12-24 |
| 发明（设计）人： | 黄杰;宁策;李正亮;胡合合;贺家煜;姚念琦;曲峰;许晓春 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/34;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王晓燕;孟祥潮 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及电子装置，该薄膜晶体管包括衬底和位于衬底上的有源层，有源层包括层叠设置的多层氧化物，该多层氧化物包括沟道层、过渡层和第一阻挡层，沟道层为多层氧化物中载流子迁移率最大的层，沟道层为结晶氧化物层或者非晶氧化物层，过渡层直接接触沟道层，第一阻挡层为该多层氧化物中的最外层氧化物，第一阻挡层和过渡层都为结晶氧化物层，第一阻挡层和过渡层的结晶化程度都大于沟道层的结晶化程度，第一阻挡层和过渡层的带隙都大于沟道层的带隙。该薄膜晶体管具有高迁移率和高稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 以及 电子 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202010591838.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
