[发明专利]自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器

摘要

本公开提供了一种自旋轨道扭矩磁随机存储单元、存储阵列及存储器，其自旋轨道扭矩磁随机存储单元包括：磁隧道结和选通器；选通器为二维材料基选通器；磁隧道结布置在所述选通器的上方；所述磁隧道结包括反铁磁层和自由层，所述自由层与所述反铁磁层邻接；所述选通器开启，所述存储单元导通，电流产生自旋流注入所述自由层，在所述自由层和所述反铁磁层的交换偏置效应作用下，所述自由层磁化方向翻转。本公开无外场利用交换偏置效应，通过施加磁隧道结优化偏置电压可实现室温零磁场下的SOT‑MRAM存储单元的确定性磁化翻转，达到数据写入的目的，实现双端结构的SOT‑MRAM存储单元。