[发明专利]自对准接触孔的制造方法、半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 202010595762.6 | 申请日： | 2020-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN111739839B | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 杨道虹;周俊;孙鹏 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/48;H01L21/48 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种自对准接触孔的制造方法、半导体器件的制造方法，通过先填充牺牲材料层于相邻栅堆叠结构之间的沟槽中，后去除待形成接触孔的区域以外的牺牲材料层，来在牺牲材料层中形成开口，进而可以在开口中填充绝缘介质层后，通过选择性刻蚀工艺去除所述牺牲材料层，以避免去除牺牲材料层的过程中，对牺牲材料层周围的绝缘介质层、侧墙及其底部的刻蚀停止层或者衬垫氧化层造成刻蚀损耗，进而能精准控制形成的自对准接触孔的形貌，从而有利于接触孔到栅极之间的距离进一步缩小，以减小芯片尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 接触 制造 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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