[发明专利]集成电路器件在审
申请号: | 202010596850.8 | 申请日: | 2020-06-28 |
公开(公告)号: | CN112530948A | 公开(公告)日: | 2021-03-19 |
发明(设计)人: | 金东佑;权赫宇;秋成旼;崔炳德 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供集成电路器件。集成电路器件包括:下电极,形成在基底上;以及上支撑结构,围绕下电极设置并支撑下电极。上支撑结构包括:上支撑图案,围绕下电极并沿平行于基底的横向方向延伸,上支撑图案具有下电极所穿过的孔;以及上间隔件支撑图案,位于上支撑图案与孔内部的下电极之间并具有与上支撑图案接触的外侧壁和与下电极接触的内侧壁,其中,上间隔件支撑图案在横向方向上的宽度沿朝向基底的方向减小。 | ||
搜索关键词: | 集成电路 器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的