[发明专利]一种用于晶圆烘烤的温度控制方法在审
| 申请号： | 202010596864.X | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111900076A | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 林锺吉;金在植;张成根;贺晓彬;刘强;杨涛;李俊峰;王文武 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 付婧 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种用于晶圆烘烤的温度控制方法，该温度控制方法可以包括如下步骤：烘烤晶圆时，检测晶圆上多个区域的温度值，从而确定烘烤时晶圆各区域温度分布，利用翘曲量与烘烤时晶圆各区域温度分布之间的关系、当前烘烤时晶圆各区域温度分布确定晶圆的翘曲量，使用该翘曲量来控制用于烘烤晶圆的热板上的多个加热单元各自的发热功率，以使晶圆均匀受热。本公开能够在不改变烘烤装置产品结构的基础上使发生翘曲的晶圆各区域在烘烤过程中均匀受热，可以彻底地解决现有真空吸附晶圆方式带来的诸多问题，而且本公开还具有投入成本较低、可靠性高等突出优点，适于大面积地推广和应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 烘烤 温度 控制 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
