[发明专利]MRAM存储器单元及其形成方法有效
| 申请号： | 202010597621.8 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN112133721B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;游文俊;王宏烵;施彦宇 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B61/00 | 分类号： | H10B61/00;H01L29/10;H10N50/10;H10N50/01;H01L23/528 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于形成减小面积的MRAM存储器单元的系统和方法，该MRAM存储器单元包括衬底、位于衬底上面的晶体管和位于晶体管上面的磁隧道结。该晶体管包括第一和第二源极区域、位于第一和第二源极区域之间的漏极区域、位于漏极区域和第一源极区域之间的至少一个第一沟道区域、位于漏极区域和第二源极区域之间的至少一个第二沟道区域、位于至少一个第一沟道区域上面的第一栅极结构和位于至少一个第二沟道区域上面的第二栅极结构。第一和第二金属层位于晶体管上面。第一和第二金属层配置为将公共源极线信号耦合至第一和第二源极区域。本发明的实施例还涉及MRAM存储器单元及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | mram 存储器 单元 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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