[发明专利]具有p型极化掺杂的III族氮化物光电子器件有效
| 申请号： | 202010600335.2 | 申请日： | 2020-06-28 |
| 公开（公告）号： | CN111710762B | 公开（公告）日： | 2021-10-15 |
| 发明（设计）人： | 郭亚楠;闫建昌;刘志彬;王军喜;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/32 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 孙蕾 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种III族氮化物的p型层的极化掺杂结构，其特征在于，所述p型层通过组分渐变引入的极化诱导产生一定浓度的空穴；所述p型层中含有p型掺杂剂，且所述p型掺杂剂浓度在所述p型层内呈调制分布。本发明通过Mg受主的调制掺杂，降低外延层中Mg的平均掺杂浓度，改善材料的晶体质量、提高空穴浓度和空穴迁移率，减少光吸收损耗，最终提升使用此p型掺杂方法的光电子器件的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 极化 掺杂 iii 氮化物 光电子 器件 | ||
【主权项】：
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